快科技12月26日新闻，据媒体报道，在国际微电子范畴顶级学术集会IEDM第70届年度集会上，来自中国的浙江驰拓科技宣布了一项冲破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技巧停顿，处理了该技巧在年夜范围出产中面对的重要挑衅。驰拓科技初次提出了合适年夜范围制作的无轨道垂直型SOT-MRAM器件构造，明显下降了SOT-MRAM工艺流程的庞杂性跟难度，并从道理上晋升了器件良率。该构造的翻新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并容许过刻蚀，从而年夜幅度增添了刻蚀窗口，下降了刻蚀进程的难度。这一冲破性计划使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%晋升至超越99.9%，到达了年夜范围制作的请求。同时，该器件实现了2纳秒的写入速率，超越1万亿次的写入/擦除操纵次数（丈量时光下限），而且具有连续微缩的潜力。传统计划驰拓科技翻新计划据懂得，SOT-MRAM领有纳秒级写入速率跟无穷次擦写次数，是一种无望替换CPU各级缓存的高机能非易掉存储技巧，无望处理以后SRAM本钱及静态功耗过高级成绩。不外SOT-MRAM在器件制作工艺上极具挑衅性，特殊是传统计划从道理上招致刻蚀良率低，重大制约了其年夜范围出产与利用。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：彩色文章内容告发 ]article_adlist--> 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->