芝电子元件及存储安装股份有限公司（“东芝”）克日发布，最新推出采取S-VSON4T[1]封装的光继电器——“TLP3414S”与“TLP3431S”，存在比东芝现有产物更快的导通时光[2]。TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压跟通态电流额外值分辨为40 V/250 mA跟20 V/450 mA。该产物于克日开端支撑批量出货。本文援用地点：新型光继电器经由过程进步输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器（光电二极管阵列）的计划，可实现高效的光耦合，将导通时光最年夜值收缩至150 μs。TLP3414S的导通时光比东芝现有产物TLP3414收缩约50 %，TLP3431S的导通时光比东芝现有产物TLP3431收缩约62 %。别的，当输出翻开时，这两款产物的导通电阻会影响旌旗灯号衰减（TLP3414S：最年夜值3 Ω，TLP3431S：最年夜值1.2 Ω）；当输出封闭时，输出电容会影响高频旌旗灯号泄露（两款产物均为典范值6.5 pF）。新产物与东芝现有产物[2]相称，确保了稳固的旌旗灯号传输。新产物实用于半导体测试装备中的引脚电子[3]利用，可在开关旌旗灯号的同时以高精度高速丈量待测装备（DUT）。新产物因为采取小型S-VSON4T封装，与东芝现有产物的VSON4封装[4]比拟表贴面积增加了约20 %，有助于实现半导体测试装备跟其余装备的小型化。东芝将持续供给更多高机能产物，以满意半导体测试装备对更高机能跟更疾速度的需要。■   利用：-   半导体测试装备（高速存储器测试装备、高速逻辑测试装备等）-   探测卡-   丈量装备■   性：-   高速导通时光：tON＝150 μs（最年夜值）-   低导通电阻：TLP3414S RON＝3 Ω（最年夜值）TLP3431S RON＝1.2 Ω（最年夜值）-   小型S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典范值），厚度＝1.3 mm（典范值）■   重要规格：（除非尚有阐明，Ta＝25 °C）器件型号TLP3414STLP3431S封装东芝封装称号S-VSON4T尺寸（mm）1.45Í2.0（典范值），厚度＝1.3（典范值）触点范例1-Form-A（常开）相对最年夜额外值断态输出端电压VOFF（V）4020通态电流ION（mA）250450通态电流（脉冲）IONP（mA）7501350任务温度Topr（°C）–40至110断绝电压BVS（Vrms）AC，60 s，R.H.≤60 %500耦合电气特征触发LED电流IFT（mA）最年夜值3导通电阻RON（Ω）典范值20.8最年夜值31.2电气特征输出电容COFF（pF）典范值6.5开关特征导通时光tON（μs）最年夜值150[5]关断时光tOFF（μs）100[5]注：[1] S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典范值）[2] 东芝现有产物TLP3414（额外值40 V/250 mA）跟TLP3431（额外值20 V/450 mA），采取VSON4封装[3] 引脚电子（PE）：用于向待测装备（DUT）供给电源跟测试旌旗灯号，并断定DUT的输出旌旗灯号的一种接口电路[4] VSON4封装：1.45 mm×2.45 mm（典范值）[5] TLP3414S的测试前提：RL＝200 Ω、VDD＝20 V、IF＝5 mA，TLP3431S：RL＝200 Ω、VDD＝10 V、IF＝5 mA